{"product_id":"syscom-24141","title":"Transistor RF de Potencia NPN \/ 30 MHz \/ 13.6 Vcc \/ 4.0 A \/ 10 W \/ TO-220AB","description":"\u003cdiv\u003e\n\u003cp\u003eTransistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C\/W.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eCaracterísticas Principales\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eTransistor NPN de potencia RF en silicio\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eFrecuencia operativa hasta 30 MHz\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eTensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eCorriente máxima de colector: 4.0 A\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003ePotencia de salida: 10 W\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003ePaquete TO-220AB con configuración emisor común\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eEspecificaciones Técnicas\u003c\/h3\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003ch4\u003eMáximos Ratings Absolutos\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCorriente de colector (I\u003csub\u003eC\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4.0 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTensión colector-emisor (V\u003csub\u003eCE\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e18 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTensión colector-base (V\u003csub\u003eCB\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e48 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDisipación de potencia (P\u003csub\u003eD\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10 W @ T\u003csub\u003eC\u003c\/sub\u003e = 25°C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTemperatura de almacenamiento (T\u003csub\u003eSTG\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-65°C a +150°C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTemperatura de unión (T\u003csub\u003eJ\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-65°C a +150°C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003ch4\u003eCaracterísticas Térmicas\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable\u003e\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eResistencia térmica unión-carcasa (θ\u003csub\u003eJ-C\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12.5°C\/W\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\u003c\/table\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003ch4\u003eCaracterísticas Eléctricas\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eBV\u003csub\u003eCEO\u003c\/sub\u003e @ I\u003csub\u003eC\u003c\/sub\u003e = 20 mA\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e18 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eBV\u003csub\u003eCES\u003c\/sub\u003e @ I\u003csub\u003eC\u003c\/sub\u003e = 50 mA\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e48 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eBV\u003csub\u003eEBO\u003c\/sub\u003e @ I\u003csub\u003eE\u003c\/sub\u003e = 5.0 mA\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4.0 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eI\u003csub\u003eCBO\u003c\/sub\u003e @ V\u003csub\u003eCB\u003c\/sub\u003e = 25 V\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e1.0 mA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eh\u003csub\u003eFE\u003c\/sub\u003e @ V\u003csub\u003eCE\u003c\/sub\u003e = 5.0 V, I\u003csub\u003eC\u003c\/sub\u003e = 500 mA\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e30-60\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eC\u003csub\u003eOB\u003c\/sub\u003e @ V\u003csub\u003eCB\u003c\/sub\u003e = 13.6 V, f = 1.0 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e125-145 pF\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eGanancia de potencia (G\u003csub\u003eP\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10-12 dB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eEficiencia (η) @ P\u003csub\u003eOUT\u003c\/sub\u003e = 12 W PEP, V\u003csub\u003eCC\u003c\/sub\u003e = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I\u003csub\u003eCQ\u003c\/sub\u003e = 300 mA\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e40%\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDistorsión de intermodulación (IMD)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-30 dB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003cdiv\u003e\n\u003ch4\u003eConfiguración Física\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePaquete\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTO-220AB (Common Emitter)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePin 1\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eBase\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePin 2\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eColector\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePin 3\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEmisor\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTab (aleta de disipación)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eColector\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SYSCOM","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":68044961251573,"sku":"MRF475","price":580.0,"currency_code":"MXN","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0671\/6522\/5205\/files\/portada_0S400_fdd9514f-bf95-4351-aed7-c590a2960dfd.png?v=1794499787","url":"https:\/\/prolink.mx\/products\/syscom-24141","provider":"ProLink","version":"1.0","type":"link"}